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国家存储器基地建设再加速“中国芯”将在武汉面世

更新时间:05-02 , 2018 / 3 次阅览

来源:电子工程世界

武汉国家存储器基地项目迈出重要一步,正式从工程建设转入量产准备阶段。
11日,市长万勇在国家存储器基地项目芯片生产机台搬入活动上强调,要以习近平新时代中国特色社会主义思想为指导,坚决贯彻党中央、国务院和省委省政府决 策部署,加快推进国家存储器基地项目建设和技术攻关,让“中国芯”在武汉越做越大、越做越强。
2016年7月,国家存储器基地项目花落武汉,承担着中国澳门金沙网上娱乐平台闪存芯片 产业规模化发展“零”的突破、改变我国通用存储器全部依赖进口被动局面的重大使命。去年9月,国家存储器基地项目提前封顶,此次芯片生产机台进场安装后,年内有望产出我国首批拥有完全自主知识产权的32层二维NAND闪存芯片。万勇说,国家存储器基地项目芯片生产机台搬入,是“中国芯”的一大步,也是“新武汉造”的一大步。建设国家存储器基地的过程,是武汉勇担国家使命、推进制造强国的过程,武汉一直在为圆国家存储器基地的美梦而不懈努力。事非经历不知难。万勇与现场嘉宾分享了国家存储器基地项目从争取建设、洽谈项目、会商合作,到选址建设、厂房封顶、研发产品等多个重要时刻的所见所感,引发了现场与会人员的强烈共鸣。他说,正是这一路走来的一个个精彩场景,成就了当天机台搬入这一激动人心的时刻。

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